Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS

Sažetak na hrvatskom: Prekapčanje tranzistora velikih snaga dovodi do stvaranja neželjenih elektromagnetskih smetnji. Galvanski izolirani upravljački krug je osmišljen i analiziran. Upravljački signal (PWM) moduliran je RF signalom i odašiljan na izlaz putem elektromagnetskog sprežnika koji galvansk...

Full description

Permalink: http://skupnikatalog.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:48699/Details
Glavni autor: Hormot, Filip (-)
Ostali autori: Barić, Adrijan (Thesis advisor)
Vrsta građe: Drugo
Impresum: Zagreb, F. Hormot, 2017.
Predmet:
LEADER 02392na a2200229 4500
003 HR-ZaFER
008 160221s2017 ci ||||| m||| 00| 0 en d
035 |a (HR-ZaFER)ferid4950 
040 |a HR-ZaFER  |b hrv  |c HR-ZaFER  |e ppiak 
100 1 |a Hormot, Filip 
245 1 0 |a Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS :  |b diplomski rad /  |c Filip Hormot ; [mentor Adrijan Barić]. 
246 1 |a Circuit analysis of an integrated galvanically isolated gate driver circuit designed in 0.18-um high-voltage CMOS technology  |i Naslov na engleskom:  
260 |a Zagreb,  |b F. Hormot,  |c 2017. 
300 |a 54 str. ;  |c 30 cm +  |e CD-ROM 
502 |b diplomski studij  |c Fakultet elektrotehnike i računarstva u Zagrebu  |g smjer: Elektronika, šifra smjera: 49, datum predaje: 2017-06-29, datum završetka: 2017-07-12 
520 3 |a Sažetak na hrvatskom: Prekapčanje tranzistora velikih snaga dovodi do stvaranja neželjenih elektromagnetskih smetnji. Galvanski izolirani upravljački krug je osmišljen i analiziran. Upravljački signal (PWM) moduliran je RF signalom i odašiljan na izlaz putem elektromagnetskog sprežnika koji galvanski odvaja izlaz od ulaza sklopa. Na izlazu sklopa RF signal je ispravljen te je rekonstruiran PWM signal. Sklopovska analiza upravljačkog sklopa je izvršena. Funkcionalnost sklopa, naponske i vremenske karakteristike su prikazane. 
520 3 |a Sažetak na engleskom: Switching in high-power transistors leads to unwanted electromagnetic (EM) interference. A galvanically isolated gate driver circuit with the drive-by-microwave technology is developed and analysed. A driving signal (PWM) is modulated with a RF signal and transmitted via an EM butterfly coupler which galvanivally isolates the output from the device input. At the device output, the RF signal is rectified and the PWM signal is reconstructed. The circuit analysis of the system is performed. The functionality of device stages, voltage and timing characteristics are presented.  
653 1 |a Power transistors  |a electromagnetic interference  |a gate driver  |a electromagnetic coupler  |a ispravljanje RF signala 
653 1 |a Snažni tranzistori  |a elektromagnetske smetnje  |a upravljački sklop  |a elektromagnetski sprežnik  |a RF rectification 
700 1 |a Barić, Adrijan  |4 ths 
942 |c Y 
999 |c 48699  |d 48699