Poluvodički elektronički elementi
| Permalink: | http://skupnikatalog.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:29391/TOC |
|---|---|
| Glavni autor: | Biljanović, Petar (-) |
| Vrsta građe: | Knjiga |
| Jezik: | hrv |
| Impresum: |
Zagreb :
Školska knjiga,
2004.
|
| Izdanje: | 3. izd |
| Nakladnička cjelina: |
Udžbenici Sveučilišta u Zagrebu = Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis / Sveučilišna Naklada Liber.
|
Sadržaj:
- Definicija elektronike. Kratak prikaz razvoja elektronskih cijevi. Kratak prikaz razvoja poluvodičkih elektroničkih elemenata. Planarna tehnologija i mikroelektronički poluvodički sklopovi.
- Pregled osnovnih svojstava i pojava u poluvodičkim materijalima. Definiranje poluvodičkog materijala. Strukture čvrstih tijela. Dijagrami energetskih pojava. Elektroni i šupljine. Ekstrinsični poluvodiči. Generacija i rekombinacija. Zakon termodinamičke ravnoteže. Intrinsična koncentracija. Zakon ravnoteže prostornog naboja. Određivanje ravnotežnih koncentracija slobodnih nosilaca. Fermi-Diracova statistika. Maxwell-Boltzmannova ststistika. Određivanje Fermijeve energije u nedegeneriranom poluvodiču. Osnovna svojstva degeneriranog silicija.
- Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima. Procesi generacije i rekombinacije nosilaca. Gibanje slobodnih nosilaca u uvjetima toplinske ravnoteže. Usmjereno gibanje slobodnih nosilaca pod djelovanjem električnog polja. Pokretljivost slobodnih elektrona i šupljina. Driftna struja u poluvodičima. Difuzijska struja u poluvodičima. Ukupna struja u poluvodičima. Jednadžba kontinuiteta i difuzijska jednadžba. Mehanizmi generacije i rekombinacije.
- Planarna tehnologija na siliciju. Formiranje pn-spoja. Definiranje pn-spoja. Epitaksijalni rast. Oksidacija. Difuzija primjesa. Ionska implantacija. Metalizacija. Planarna tehnologija.
- Teorija pn-spoja. Skokoviti i linearno-postupan pn-spoj. Konstantnost Fermijeva nivoa u uvjetima termodinamičke ravnoteža. Nehomogeni vodiči. Veza koncentracije primjesa i jakosti električnog polja. Potencijalna barijera. Poissonova jednadžba. pn-spoj u stanju termodinamičke ravnoteže. Kontaktni potencijal. Analiza područja prostornog naboja ili prijelaznog područja u skokovitom pn-spoju u stanju termodinamičke ravnoteže. Širina graničnog sloja i Debyjeva dužina. Debyjeva dužina i vrijeme dielektrične relaksacije. Analiza područja prostornog naboja ili prijelaznog područja u linearno-postupnom pn-spoju u stanju termodinamičke ravnoteže. Reverzno ili nepropusno polariziran pn-spoj. Kapacitet reverzno polariziranog pn-spoja. Mehanizmi proboja u reverzno polariziranom pn-spoju. Direktno ili propusno polariziran pn-spoj. Kvazi-Fermijevi nivoi.
- Poluvodičke pn-diode.
- Spoj metal-poluvodič. heterospojevi.
- Bipolarni tranzistori - statička svojstva.
- Izvedbe i svojstva realnih bipolarnih tranzistora.
- Spojni tranzistor s efektom polja.
- MOS-struktura. Napon praga.
- Svojstva unipolarnih MOS-tranzistora.
- Izvedbe MOS-tranzistora. Efekti kratkog i uskog kanala.