|
|
|
|
| LEADER |
03305nam a2200229uu 4500 |
| 005 |
20141009102040.0 |
| 008 |
s2004 ci a |||||||||| ||hrv|d |
| 020 |
|
|
|a 9530306865
|
| 035 |
|
|
|a HR-ZaFER 33785
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 041 |
|
|
|a hrv
|
| 080 |
|
|
|a 621.382
|
| 100 |
1 |
|
|9 4015
|a Biljanović, Petar
|
| 245 |
|
|
|a Poluvodički elektronički elementi /
|
| 250 |
|
|
|a 3. izd.
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b Školska knjiga,
|c 2004.
|
| 300 |
|
|
|a XVI, 608 str. :
|b graf. prikazi ;
|c 24 cm.
|
| 490 |
|
|
|a Udžbenici Sveučilišta u Zagrebu = Manualia Universitatis studiorum Zagrabiensis / Sveučilišna Naklada Liber.
|
| 505 |
0 |
0 |
|t Definicija elektronike. Kratak prikaz razvoja elektronskih cijevi. Kratak prikaz razvoja poluvodičkih elektroničkih elemenata. Planarna tehnologija i mikroelektronički poluvodički sklopovi.
|t Pregled osnovnih svojstava i pojava u poluvodičkim materijalima. Definiranje poluvodičkog materijala. Strukture čvrstih tijela. Dijagrami energetskih pojava. Elektroni i šupljine. Ekstrinsični poluvodiči. Generacija i rekombinacija. Zakon termodinamičke ravnoteže. Intrinsična koncentracija. Zakon ravnoteže prostornog naboja. Određivanje ravnotežnih koncentracija slobodnih nosilaca. Fermi-Diracova statistika. Maxwell-Boltzmannova ststistika. Određivanje Fermijeve energije u nedegeneriranom poluvodiču. Osnovna svojstva degeneriranog silicija.
|t Mehanizmi vođenja struje u poluvodičima. Procesi generacije i rekombinacije nosilaca. Gibanje slobodnih nosilaca u uvjetima toplinske ravnoteže. Usmjereno gibanje slobodnih nosilaca pod djelovanjem električnog polja. Pokretljivost slobodnih elektrona i šupljina. Driftna struja u poluvodičima. Difuzijska struja u poluvodičima. Ukupna struja u poluvodičima. Jednadžba kontinuiteta i difuzijska jednadžba. Mehanizmi generacije i rekombinacije.
|t Planarna tehnologija na siliciju. Formiranje pn-spoja. Definiranje pn-spoja. Epitaksijalni rast. Oksidacija. Difuzija primjesa. Ionska implantacija. Metalizacija. Planarna tehnologija.
|t Teorija pn-spoja. Skokoviti i linearno-postupan pn-spoj. Konstantnost Fermijeva nivoa u uvjetima termodinamičke ravnoteža. Nehomogeni vodiči. Veza koncentracije primjesa i jakosti električnog polja. Potencijalna barijera. Poissonova jednadžba. pn-spoj u stanju termodinamičke ravnoteže. Kontaktni potencijal. Analiza područja prostornog naboja ili prijelaznog područja u skokovitom pn-spoju u stanju termodinamičke ravnoteže. Širina graničnog sloja i Debyjeva dužina. Debyjeva dužina i vrijeme dielektrične relaksacije. Analiza područja prostornog naboja ili prijelaznog područja u linearno-postupnom pn-spoju u stanju termodinamičke ravnoteže. Reverzno ili nepropusno polariziran pn-spoj. Kapacitet reverzno polariziranog pn-spoja. Mehanizmi proboja u reverzno polariziranom pn-spoju. Direktno ili propusno polariziran pn-spoj. Kvazi-Fermijevi nivoi.
|t Poluvodičke pn-diode.
|t Spoj metal-poluvodič. heterospojevi.
|t Bipolarni tranzistori - statička svojstva.
|t Izvedbe i svojstva realnih bipolarnih tranzistora.
|t Spojni tranzistor s efektom polja.
|t MOS-struktura. Napon praga.
|t Svojstva unipolarnih MOS-tranzistora.
|t Izvedbe MOS-tranzistora. Efekti kratkog i uskog kanala.
|
| 942 |
|
|
|c K
|2 udc
|
| 990 |
|
|
|a 9279
|
| 999 |
|
|
|c 29391
|d 29391
|
