|
|
|
|
| LEADER |
01051nam a2200289 i 4500 |
| 001 |
NSK01000826559 |
| 003 |
HR-ZaNSK |
| 005 |
20121213125708.0 |
| 007 |
ta |
| 008 |
121213s1973 ci d m 000 0 hrv |
| 035 |
|
|
|a (HR-ZaNSK)000826559
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaNSK
|b hrv
|c HR-ZaNSK
|e ppiak
|
| 041 |
0 |
|
|a hrv
|b eng
|
| 042 |
|
|
|a croatica
|
| 044 |
|
|
|a ci
|c hr
|
| 080 |
|
|
|a 54
|2 MRF 1998.
|
| 080 |
|
|
|a (043.2)
|2 MRF 1998.
|
| 100 |
1 |
|
|a Etlinger, Božidar
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Studij defekata uvedenih implantacijom niskoenergetskih kanaliziranih iona p31 u p-tip silicija :
|b magistarski rad /
|c Božidar Etlinger ; [voditelj Natko Urli].
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b B. Etlinger,
|c 1973.
|e ([s. l. :
|f s. n.])
|
| 300 |
|
|
|a III, 74 lista :
|b graf. prikazi ;
|c 30 cm.
|
| 500 |
|
|
|a Na vrhu nasl. str.: Sveučilište u Zagrebu.
|
| 502 |
|
|
|a Sveuč. u Zagrebu, Zagreb, 1973.
|
| 504 |
|
|
|a Bibliografija: listovi 67-70.
|
| 504 |
|
|
|a Summary: Study of defects in p-type silicon implanted with channeled lowe energy phosphorus ions.
|
| 981 |
|
|
|p CRO
|r HRB1973
|
| 998 |
|
|
|o abra1212
|