|
|
|
|
LEADER |
03143na a2200241 4500 |
003 |
HR-ZaFER |
005 |
20160719111353.0 |
008 |
160221s2015 ci ||||| m||| 00| 0 hr d |
035 |
|
|
|a (HR-ZaFER)ferid2536
|
040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
100 |
1 |
|
|a Mikolčić, Matija
|9 37643
|
245 |
1 |
0 |
|a Projektiranje bipolarnih radiofrekvencijskih niskošumnih pojačala :
|b diplomski rad /
|c Matija Mikolčić ; [mentor Marko Koričić].
|
246 |
1 |
|
|a Design of bipolar radio-frequency low-noise-amplifiers
|i Naslov na engleskom:
|
260 |
|
|
|a Zagreb,
|b M. Mikolčić,
|c 2015.
|
300 |
|
|
|a 96 str. ;
|c 30 cm +
|e CD-ROM
|
502 |
|
|
|b diplomski studij
|c Fakultet elektrotehnike i računarstva u Zagrebu
|g smjer: Elektroničko i računalno inženjerstvo, šifra smjera: 48, datum predaje: 2015-06-30, datum završetka: 2015-07-10
|
520 |
3 |
|
|a Sažetak na hrvatskom: U ovom radu projektirano je niskošumno pojačalo za radnu frekvenciju 1.8 GHz korištenjem programskog alata Advanced Design System. Kao aktivni element korišten je bipolarni tranzistor BFP420 kompanije Infineon. Modeli tranzistora i mjereni S-parametri preuzeti su sa stranica proizvođača. Pojačalo je projektirano tako da bude bezuvjetno stabilno na svim frekvencijama. Projektirane su ulazna i izlazna mreža za prilagodbu impedancije korištenjem mikrotrakastih linija. Mreže su projektirane tako da je ulaz tranzistora zaključen impedancijom kojom se postiže minimalni faktor šuma, a izlaz impedancijom kojom se postiže maksimalni prijenos snage na izlazu. Također su projektirane prilagodne mreže za napajanje na ulazu i izlazu pojačala. Nakon električkog dizajna, napravljena je fizička realizacija na PCB-u koja je verificirana 3D elektromagnetskim simulacijama i korištenjem modela realnih komponenata. Realizirano pojačalo ima pojačanje 10.6 dB i faktor šuma 1.51 dB. Mjerenja gotovog pojačala pokazala su dobro poklapanje sa simulacijama.
|
520 |
3 |
|
|a Sažetak na engleskom: In this thesis a low-noise amplifier was designed for operating frequency of 1.8 GHz using the Advanced Design System software. Bipolar transistor BFP 420 from Infineon was used as active device. Transistor models and measured S-parameters were downloaded from manufacturer's website. Amplifier was designed with unconditional stability across whole frequency range. Microstrip lines were used to design input and output impedance matching networks. Input matching network was designed for optimal noise figure, and output matching network was designed for maximum power transfer. Input and output DC bias networks were also designed. After electrical design physical realization was made on PCB which was verified by 3D electromagnetic simulations and by using realistic component models. Finished amplifier has gain of 10.6 dB and noise figure of 1.51 dB. Measurements of finished amplifier have shown good match with simulation results.
|
653 |
|
1 |
|a niskošumno pojačalo
|a faktor šuma
|a prilagodne mreže
|a stabilnost
|
653 |
|
1 |
|a low-noise amplifier
|a noise figure
|a matching networks
|a stability
|
700 |
1 |
|
|a Koričić, Marko
|4 ths
|9 30743
|
942 |
|
|
|c Y
|2 udc
|
999 |
|
|
|c 45876
|d 45876
|