Slika naslovnice

Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja

Sažetak na hrvatskom: Cilj ovog rada je razvoj modela transporta nosilaca u GaN sloju MOS strukture s vrlo tankim tijelom te analiza promjene pokretljivosti pri niskim iznosima lateralnog polja s obzirom na skaliranje debljine GaN sloja i promjenu napona na upravljačkim elektrodama u slučajevima DG...

Full description

Permalink: http://skupnikatalog.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:45515/Similar
Glavni autor: Krivec, Sabina (-)
Ostali autori: Suligoj, Tomislav (Thesis advisor)
Vrsta građe: Drugo
Impresum: Zagreb, S. Krivec, 2014.
Predmet:
GaN, transport elektrona, raspršenje na akustičkim i polarnim optičkim fononima, raspršenje na međupovršinama, raspršenje na Coulombovim centrima, DG, SG
GaN, acoustic phonon scattering, polar optical phonon scattering, surface roughness scattering, Coloumb centers, DG, SG

APA stil citiranja

Krivec, S., & Suligoj, T. (2014). Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja: Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja : diplomski rad. Zagreb: S. Krivec.

Chicago stil citiranja

Krivec, Sabina, and Tomislav Suligoj. Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja: Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja : diplomski rad. Zagreb: S. Krivec, 2014.

MLA stil citiranja

Krivec, Sabina, and Tomislav Suligoj. Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja: Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja : diplomski rad. Zagreb: S. Krivec, 2014.

Slični primjerci