Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona : diplomski rad - Petrina, Tina (T. Petrina, 2019)
Sažetak na hrvatskom: U ovom diplomskom radu naglasak je bio stavljen na strukturu tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona kao sve upotrebljivijem poluvodičkom elementu u visokofrekvencijskoj elektronici zadnjih godina. U prvom dijelu rada objasnila se fizika same strukture - kako nastaje AlGaN/GaN heterospoj, zašto dolazi do stvaranja kvantne jame i dvodimenzionalnog elektronskog plina i sl. Potom su se objasnili različiti mehanizmi raspršenja koji će se kasnije analizirati u radu. U idućem, drugom, dijelu rada napisane su sve korištene formule i konstante kao i kratke upute kroz kodove koji su se koristili za Schrödinger-Poissonov samokonzistentni simulator i za utjecaje različitih mehanizama raspršenja na pokretljivost elektrona zadane strukture. U zadnjem dijelu radu prikazali su se i objasnili rezultati gore navedenih simulacija. U Schrödinger-Poisson samokonzistentnom simulatoru prikazani su promjena kvantne jame, koncentracije nosilaca i energetskih razina s obzirom na promjenu napona na upravljačkoj elektrodi za single - gate strukturu i promjenu koncentracije aluminija u Al(x)Ga(1-x)N spoju sa sto na trideset posto.