Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja : diplomski rad - Karač, Marija (M. Karač, 2015)
Sažetak na hrvatskom: Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te mjerenja i ugađanja pasivnih komponenti da bi se dobili rezultati na 2GHz.