|
|
|
|
| LEADER |
01885na a2200241 4500 |
| 003 |
HR-ZaFER |
| 005 |
20160707125624.0 |
| 008 |
160221s2015 ci ||||| m||| 00| 0 hr d |
| 035 |
|
|
|a (HR-ZaFER)ferid2460
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 100 |
1 |
|
|a Karač, Marija
|9 37356
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja :
|b diplomski rad /
|c Marija Karač ; [mentor Dubravko Babić].
|
| 246 |
1 |
|
|a Microwave amplifier with AlGaN/GaN field-effect transistor
|i Naslov na engleskom:
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb,
|b M. Karač,
|c 2015.
|
| 300 |
|
|
|a 103 str. ;
|c 30 cm +
|e CD-ROM
|
| 502 |
|
|
|b diplomski studij
|c Fakultet elektrotehnike i računarstva u Zagrebu
|g smjer: Radiokomunikacijske tehnologije, šifra smjera: 52, datum predaje: 2015-06-30, datum završetka: 2015-07-01
|
| 520 |
3 |
|
|a Sažetak na hrvatskom: Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te mjerenja i ugađanja pasivnih komponenti da bi se dobili rezultati na 2GHz.
|
| 520 |
3 |
|
|a Sažetak na engleskom: This work describes design and production of narrowband single stage RF power amplifier, operating in class AB, with working frequency of 2GHz. For active element is chosen AlGaN/GaN HEMT, which contains high mobility electrons. In detail is described estimation of input and output matching networks, process of manufacturing PCB (printed circuit board), measuring and tuning of passive elements, in order to get results on 2 GHz.
|
| 653 |
|
1 |
|a Pojačalo
|a djelotvornost
|a snaga
|a frekvencija
|a napajanje
|
| 653 |
|
1 |
|a Amplifier
|a efficiency
|a power
|a frequency
|a power supply
|
| 700 |
1 |
|
|a Babić, Dubravko
|4 ths
|9 33782
|
| 942 |
|
|
|c Y
|2 udc
|
| 999 |
|
|
|c 46602
|d 46602
|