Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu : magistarski rad - Perić, Mario (M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006)
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo različite tehnološke izvedbe te strukture, optimizirati geometrijske i topološke dimenzije. Pomoću dvodimenzionalnog 2D simulatora MEDICI izvršena analizu je i povezanost tehnološke parametre i karakteristike SONFET-a te modeliranje i ekstrakcija električkih parametara. Ključne riječi: silicij ni na čemu SON, silicij na izolatoru SOI, napon praga, ukopani oksidni sloj, kratki kanal, uski kanal, skaliranje.