Granice primjene prijelazne toplinske impedancije učinskih komponenata s efektom polja : doktorska disertacija - Jakopović, Željko (Ž. Jakopović ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1998)
Ključne riječi: pijelazna toplinska impedancija, mjerenje temperature silicijeve pločice, učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET), bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom (IGBT), modeliranje toplinskog sustava poluvodičkog ventila, simulacija temperature silicijeve pločice